高纯硅烷SiH4将用于半导体和太阳能薄膜技术、AsH3磷烷PH3、乙硼烷B2H6、六氟化钨WF6、高纯氨NH3等特殊气体具有易燃、有毒、腐蚀性强等特点，但它们是制造精密半导体电子元件和新能源光电产品的重要原材料。如果在生产过程中发生气体泄漏，将导致严重的产品质量和人身伤亡。为了确保安全，这种高纯度特殊气体的输送管道采用不锈钢两层管道。在管道施工过程中，对工作环境的清洁度、管道内外管道的清洁度、焊接和安装质量有很高的要求。本文对高纯度特殊气体两层管道的施工提出了一些建议，供同行参考。
2.工艺原理
选用水准15°倾斜放置位置进行加工，沿管道中介质流向高纯氮（99.999%）进行吹扫。不锈钢弹簧加入双层管道隔层后，采用专用弯头装置进行弯头加工。全自动轨道氩弧焊连接和软金属垫片端面密封连接，由纯氩（99.999%）保护，结合氦气泄漏检测的工艺原理，确保内外管道的清洁度、密封性、弯头质量和管道焊接安装质量。
3加工安装操作要点
3.1清洁区域控制
现场设置三个预制加工洁净区，并建立临时洁净室。净化等级不得低于9级，以确保管件加工的清洁度。进入洁净室的人员必须佩戴洁净服装、洁净帽、洁净鞋和洁净手套。如图3.1所示。
3.2管路加工
3.2.1管口加工
管口加工是本施工技术的重点之一。管道切割和预制应在清洁环境中进行，并确保管道切割前表面无有害痕迹和损坏。管道开封前应做好管道中氮气冲洗的准备工作。取出双层塑料外包装后，管道应轻轻取出两端的塑料密封套，并及时充氮，避免空气污染。切割管道时，用不锈钢专用切割机缓慢切割，操作时保持切面直度(90)°±0.5)。管路水准15°水平固定倾斜位置进行切割和端面处理，并沿介质下流方向冲放高纯氮，避免切割进入管道。切割后，选择端面CPU进行端面处理，铣削毛刺；在处理过程中，确保端面向下（始终保持端面向下），处理后轻轻摇动以清除切割；处理后，将切割面向下，从上方敲击5次，然后用高纯氮气再次沿管道中介质流动，切割面位于N2下流方向。切割后和端面处理后，如果管道上有切割或其他杂质，用沾有异丙醇的无尘布擦拭干净。无尘布的使用应遵循“一次擦拭”的原则，不得重复使用。
3.2.2弯管加工
常规的两层管弯头需要定制，定制成品成本高，质量难以保证。在施工过程中，弯头设备可以设计使用，弯头可以现场制作，处理这个加工问题。两层管道弯头时，内外管道之间设置不锈钢弹簧圈，作为内外管道的传力物，保证弯头过程中内外管道的真实圆度，使弯头质量符合要求。直管段表面管道也采用弹簧圈支撑，保证双层管道的隔层空间距离，起到双层管道的缓冲作用。弯头时，管道两端的封头不宜打开，弯头成型后视角误差不大于5。°。
3.3.2.自动焊接施工
半成品和成品的保护措施应及时有效，管道两侧应在加工或焊接后迅速密封。焊接管道的对应端口必须为正方形，并与间隙连接。对应位置允许的圆弧和壁厚的十分之一应倒置，连接端口应位于钨极的中心。焊接时，应按要求进行内充氩保护，以控制氩气流量。焊工焊接时，氩弧焊机焊接时电流应稳定，焊接速度应均匀一致。焊接后，用钢丝刷清除焊接区域外表面的氧化膜。如图3.3所示。
3.3管道焊接
3.3.1.自动焊接样品的生产
严格按照焊接工艺评定和焊接工艺规程进行焊接操作。
为了加强焊接质量管理，在每天开始焊接工作之前，焊工必须对每台焊机的焊接规格进行样品制作，检查自动焊机的工作条件和操作人员的技术水平，以确保焊接质量。只有样品通过后，才能进行正式的焊接操作。焊接样品也应在每天焊接结束前制作。所有焊接样品应妥善保存，作为质量检验的依据。
